STD16N65M5
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 2,530 € |
| 10+ | 1,970 € |
| 100+ | 1,630 € |
| 500+ | 1,420 € |
| 1000+ | 1,320 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell STD16N65M5 handelt es sich um einen MDmesh™ V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit hervorragender Schaltleistung. Dieser MDmesh™ V-Leistungs-MOSFET basiert auf einer innovativen, proprietären vertikalen Prozesstechnologie, die mit der gängigen horizontalen PowerMESH™-Layout-Struktur von STMicroelectronics kombiniert ist. So entsteht ein Baustein mit einem im Vergleich zu Silizium-basierten Leistungs-MOSFET äußerst niedrigen Durchgangswiderstand, wodurch er sich besonders eignet für Anwendungen, die eine äußerst hohe Leistungsdichte und einen herausragenden Wirkungsgrad erfordern.
- Weltweit bester RDS (ON)
- Höhere VDSS
- Gutes dV/dt-Verhalten
- Einfache Ansteuerung
- 100% Avalanche-getestet
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
n-Kanal
12A
TO-252 (DPAK)
10V
90W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
650V
0.23ohm
Oberflächenmontage
4V
3Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für STD16N65M5
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat