STB6NK60ZT4
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 2,150 € |
| 10+ | 1,560 € |
| 100+ | 1,190 € |
| 500+ | 1,060 € |
| 1000+ | 0,938 € |
| 5000+ | 0,860 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell STB6NK60ZT4 handelt es sich um einen n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit SuperMESH™-Technologie, Zener-Schutzdiode und minimaler Gate-Ladung. Dieser SuperMESH™-MOSFET wurde durch die deutliche Optimierung des bewährten, Strip-basierten PowerMESH™-Layouts von ST erreicht. Neben einer erheblichen Senkung des ON-Widerstands bietet dieser Baustein ein hervorragendes dV/dt-Verhalten für die anspruchsvollsten Anwendungen.
- 100% Avalanche tested
- Extremely high dV/dt capability
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
n-Kanal
3A
TO-263 (D2PAK)
10V
110W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
600V
1ohm
Oberflächenmontage
3.75V
3Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat