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BD139

Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 250 hFE

BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 250 hFE

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Herstellerteilenummer:
BD139
Bestellnummer:
1015770
Technisches Datenblatt:
BD139   Datasheet
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Produktbeschreibung

BD139 von STMicroelectronics ist ein komplementärer Niederspannungs-NPN-Transistor zur Durchsteckmontage in TO-126 (SOT-32)-Bauform. Bei der Herstellung dieser Bausteine kommt die Epitaxial-Planar-Technologie zum Einsatz. Geeignet für Audioverstärker und -treiber mit komplementären oder quasikomplementären Schaltkreisen.
  • Kollektor-Emitter-Spannung (Vce): 80V
  • Kollektorstrom (Ic): 1.5A
  • Verlustleistung (Pd): 12.5W
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung bei 0.5A Kollektorstrom: 500mV
  • DC-Stromverstärkung (hFE) bei einem Kollektorstrom von 0.5A: 25
  • Sperrschicht-Betriebstemperatur: ab 150°C
  • Operating junction temperature range from 150°C

Anwendungen

Power-Management, Unterhaltungselektronik, Tragbare Geräte, Industrie

Hinweise

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Produktspezifikationen

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:
NPN

:
80V

:
-

:
1.25W

:
1.5A

:
250hFE

:
TO-225AA

:
3Pin(s)

:
150°C

:
-

:
-

:
-
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Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 40 hFE

     

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