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ADP480120W3
Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 488 A, 1.2 kV, 2600 µohm, ACEPACK DRIVE
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerADP480120W3
Bestellnummer4558119
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1.465,000 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerADP480120W3
Bestellnummer4558119
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationSixPack
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id488A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand2600µohm
Bauform - TransistorACEPACK DRIVE
Anzahl der Pins30Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.4V
Verlustleistung869W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
SixPack
Dauer-Drainstrom Id
488A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
2600µohm
Anzahl der Pins
30Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.4V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
ACEPACK DRIVE
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
869W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Morocco
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Morocco
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):730
Produktnachverfolgung