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GD650HFX170P1S
IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.073 kA, 1.9 V, 4.2 kW, 150 °C, Modul
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Produktspezifikationen
HerstellerSTARPOWER
HerstellerteilenummerGD650HFX170P1S
Bestellnummer3549271
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationHalbbrücke
Dauerkollektorstrom1.073kA
DC-Kollektorstrom1.073kA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.9V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)1.9V
Verlustleistung Pd4.2kW
Verlustleistung4.2kW
Betriebstemperatur, max.150°C
Sperrschichttemperatur Tj, max.150°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussStiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1.7kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.7kV
IGBT-TechnologieTrench/Feldstop
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Halbbrücke
DC-Kollektorstrom
1.073kA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1.9V
Verlustleistung
4.2kW
Sperrschichttemperatur Tj, max.
150°C
IGBT-Anschluss
Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.7kV
Transistormontage
Platte
SVHC
To Be Advised
Dauerkollektorstrom
1.073kA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.9V
Verlustleistung Pd
4.2kW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Bauform - Transistor
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1.7kV
IGBT-Technologie
Trench/Feldstop
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.2