Seite drucken
GD100HFY120C1S
IGBT-Modul, Halbbrücke, 155 A, 2 V, 511 W, 150 °C, Modul
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
14 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
EXPRESS-Lieferung am nächsten Arbeitstag - bis 13 Uhr*
Bestellung vor 17:00
KOSTENLOSE Standardlieferung
für Bestellungen ab 0,00 €
Genaue Lieferzeiten werden an der Kasse berechnet
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 46,080 € |
| 5+ | 42,760 € |
| 10+ | 38,850 € |
| 50+ | 37,440 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
46,08 € (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerSTARPOWER
HerstellerteilenummerGD100HFY120C1S
Bestellnummer2986060
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationHalbbrücke
Dauerkollektorstrom155A
DC-Kollektorstrom155A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)2V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung2V
Verlustleistung511W
Verlustleistung Pd511W
Sperrschichttemperatur Tj, max.150°C
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussStiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
IGBT-TechnologieTrench/Feldstop
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
Die Starpower-IGBT-Module und -Arrays bieten äußerst niedrige Leitungsverluste sowie eine hohe Beständigkeit gegenüber Kurzschlüssen. Sie sind ausgelegt für Anwendungen wie universelle Wechselrichter und USV. Wichtige Funktionen und Merkmale umfassen Trench IGBT-Technologie, eine Sperrschichttemperatur von maximal 175°C und eine isolierte Grundplatte aus Kupfer unter Verwendung der DBC-Technologie.
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Halbbrücke
DC-Kollektorstrom
155A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
2V
Verlustleistung Pd
511W
Betriebstemperatur, max.
150°C
IGBT-Anschluss
Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
Transistormontage
Platte
SVHC
To Be Advised
Dauerkollektorstrom
155A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
2V
Verlustleistung
511W
Sperrschichttemperatur Tj, max.
150°C
Bauform - Transistor
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1.2kV
IGBT-Technologie
Trench/Feldstop
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.156399