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2N6661
Leistungs-MOSFET, MOSPOWER, n-Kanal, 90 V, 900 mA, 4 ohm, TO-205AF, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Wird nicht mehr hergestellt.
Produktspezifikationen
HerstellerSOLID STATE
Herstellerteilenummer2N6661
Bestellnummer2630600
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds90V
Dauer-Drainstrom Id900mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand4ohm
Bauform - TransistorTO-205AF
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.5V
Verlustleistung6.25W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Alternativen für 2N6661
1 Produkt(e) gefunden
Produktbeschreibung
2N6661 ist ein 90V-n-Kanal-MOSFET (Anreicherungstyp) für den Einsatz in Schaltreglern, Wandlern und Motortreibern.
Anwendungen
Power-Management, Industrie, Motorantrieb & -steuerung
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
900mA
Bauform - Transistor
TO-205AF
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
6.25W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
90V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
4ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001814