SG01D-18

SG01D-18 ist eine SiC-basierte Breitband-UV-Fotodiode, die sich durch einzigartige Eigenschaften wie eine äußerst hohe Strahlungsfestigkeit, eine nahezu perfekte Visible Blindness, einen niedrigen Dunkelstrom, eine hohe Geschwindigkeit und ein geringes Rauschen auszeichnet. Aufgrund der Eigenschaften ist SiC das beste Material für Halbleiter-UV-Detektoren mit Visible Blindness. Der SiC-Detektor eignet sich für den Dauerbetrieb bei bis zu 170°C. Zudem ist der Temperaturkoeffizient des Signals (Responsivität) niedrig, <lt/>0.1%/K. Dank des geringen Rauschens (Dunkelstrom im fA-Bereich) können sehr niedrige UV-Strahlungsintensitäten zuverlässig gemessen werden.

• UV-Breitband (UVA+UVB+UVC), hohe Chip-Stabilität
• Detektorfläche: 0.50mm²
• Hermetisch abgedichtetes Metallgehäuse
• Einstrahlung von 10µW/cm² bei 280nm (Spitzen-Responsivität) führt zu einem Strom von etwa 6.5nA
• 1 isolierter Pin und 1 Gehäusepin
• SiC-Chip mit hoher Strahlungsfestigkeit (PTB)

Anwendungen

Sensortechnik, Industrie