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SIR416DP-T1-GE3
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0038 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,470 € |
| 10+ | 1,040 € |
| 100+ | 0,772 € |
| 500+ | 0,612 € |
| 1000+ | 0,554 € |
| 5000+ | 0,511 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerVISHAY
HerstellerteilenummerSIR416DP-T1-GE3
Bestellnummer3772829
ProduktpaletteTrenchFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0038ohm
Bauform - TransistorPowerPAK SO
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung69W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteTrenchFET
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
50A
Bauform - Transistor
PowerPAK SO
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
69W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0038ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
TrenchFET
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für SIR416DP-T1-GE3
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung