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PMH550UPEH
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.55 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 10000+ | 0,0399 € |
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Mehrere: 10000
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPMH550UPEH
Bestellnummer3438532
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.55ohm
Bauform - TransistorDFN0606
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.700mV
Verlustleistung360mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
800mA
Bauform - Transistor
DFN0606
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
360mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.55ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
700mV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00082
Produktnachverfolgung