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AUIRL7736M2TR
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 112 A, 0.003 ohm, DirectFET M4, Oberflächenmontage
Bestellbar
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 3,270 € |
| 10+ | 2,440 € |
| 100+ | 1,790 € |
| 500+ | 1,540 € |
| 1000+ | 1,510 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
3,27 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerAUIRL7736M2TR
Bestellnummer2579967
ProduktpaletteHEXFET
Auch bekannt alsSP001521898
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id112A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.003ohm
Bauform - TransistorDirectFET M4
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.8V
Verlustleistung63W
Anzahl der Pins9Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteHEXFET
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
112A
Bauform - Transistor
DirectFET M4
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
63W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.003ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.8V
Anzahl der Pins
9Pin(s)
Produktpalette
HEXFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.007983
Produktnachverfolgung