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MTP3055VL
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,900 € |
| 10+ | 1,440 € |
| 100+ | 0,850 € |
| 500+ | 0,745 € |
| 1000+ | 0,633 € |
| 5000+ | 0,607 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMTP3055VL
Bestellnummer2454583
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.18ohm
Bauform - TransistorTO-220AB
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.6V
Verlustleistung48W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The MTP3055VL is a N-channel Logic Level MOSFET designed specifically for low voltage, high speed switching applications. This MOSFET features faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies). The rugged internal source-drain diode can eliminates the need for an external Zener diode transient suppressor.
- Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature
- Low drive requirements allowing operation directly from logic drivers
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
12A
Bauform - Transistor
TO-220AB
Rds(on)-Prüfspannung
5V
Verlustleistung
48W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.18ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.6V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (4)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.014515
Produktnachverfolgung