IKP20N60TXKSA1

Beim Modell IKP20N60T handelt es sich um einen diskreten 600V-IGBT mit antiparalleler, Emitter-gesteuerter Soft-Recovery-Diode mit kurzer Erholzeit. Die TRENCHSTOP™-IGBT-Technologie sorgt für eine erhebliche Verbesserung der statischen und dynamischen Leistung des Bausteins aufgrund der Kombination aus Trenchstop- und Feldstop-Zellenkonzept. Zusätzlich ermöglicht die Kombination aus IGBT und der Emitter-gesteuerten Soft-Recovery-Diode eine weitere Minimierung der Einschaltverluste. Ein Kompromiss zwischen Schalt- und Leitungsverlusten ermöglicht einen optimalen Wirkungsgrad. Dieser diskrete IGBT eignet sich hervorragend für hartes Schalten sowie für sanfte Schaltanwendungen und andere Resonanzanwendungen.

• Sehr niedrige Collector-Emitter-Sättigungsspannung (Vce (sat)) für geringere Leitungsverluste
• Geringe Schaltverluste
• Einfache Parallelschaltung aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten in Vce(sat)
• Sehr robust, temperaturstabil
• Niedrige EMMA-Emissionen
• Niedrige Gate-Ladung
• Sehr enge Parameterverteilung
• Höchster Wirkungsgrad
• Niedrige Leitungs- und Schaltverluste

Anwendungen

Power-Management, Alternative Energien, Industrie

Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab