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SCT4065DRC15
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 750 V, 0.085 ohm, TO-247
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 8,600 € |
| 5+ | 7,540 € |
| 10+ | 6,470 € |
| 50+ | 5,900 € |
| 100+ | 5,310 € |
| 250+ | 5,200 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
8,60 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerSCT4065DRC15
Bestellnummer4751153
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id25A
Drain-Source-Spannung Vds750V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.085ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins4Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.8V
Verlustleistung88W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.085ohm
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.8V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
To Be Advised
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
750V
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
88W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.007
Produktnachverfolgung