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SCT3080ALGC11
Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30A, 650V, 0.08 Ohm, 18V, 5.6V
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerSCT3080ALGC11
Bestellnummer2678786
Auch bekannt alsSCT3080ALGC11
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 13,910 € |
| 5+ | 12,170 € |
| 10+ | 10,090 € |
| 50+ | 9,040 € |
| 100+ | 8,350 € |
| 250+ | 7,790 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerSCT3080ALGC11
Bestellnummer2678786
Auch bekannt alsSCT3080ALGC11
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id30A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.08ohm
Bauform - TransistorTO-247N
Anzahl der Pins3Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.6V
Verlustleistung134W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.08ohm
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.6V
Betriebstemperatur, max.
175°C
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
TO-247N
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
134W
Produktpalette
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.005
Produktnachverfolgung