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RS7N200BHTB1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 230 A, 2000 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 500+ | 2,380 € |
| 1000+ | 2,300 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerRS7N200BHTB1
Bestellnummer4633512RL
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id230A
Drain-Source-Durchgangswiderstand2000µohm
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung180W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
2000µohm
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id
230A
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
180W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung