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BSM400D12P3G002
Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Modul
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerBSM400D12P3G002
Bestellnummer3573231
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationHalbbrücke
KanaltypZweifach n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id400A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand-
Bauform - TransistorModul
Anzahl der Pins-
Rds(on)-Prüfspannung-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.6V
Verlustleistung1.57kW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Halbbrücke
Dauer-Drainstrom Id
400A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
-
Anzahl der Pins
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.6V
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Kanaltyp
Zweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
Modul
Rds(on)-Prüfspannung
-
Verlustleistung
1.57kW
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.28