AQY212EH

Das Relais AQY212EH ist ein PhotoMos-Relais der Baureihe GE im 4-poligen DIP-Gehäuse mit verstärkter Isolierung bis 5000Vrms und verwendet 1 Form-A-Kontakt (NO/Schließer). Dieses PhotoMOS-Relais ist für die Steuerung schwacher analoger Signale bei gleichzeitig niedrigem Einschaltwiderstand und niedrigem Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von nur max. 1μA ausgelegt. Mit seiner kleinen Grundfläche, insbesondere im Vergleich zu mechanischen Relais, trägt dieses Relais zur Reduktion des Platzverbrauchs auf der Leiterplatte bei. Es steuert schwache analoge Signale und zeichnet sich durch eine hohe Empfindlichkeit und einen niedrigen Einschaltwiderstand aus. Typische Anwendungen umfassen: Modems, Telefongeräte, Stromversorgung, Anlagen, Sicherheitstechnik, Sensorik und Messgeräte. Es erfüllt die Normen: UL (E191218), VDE (Nr. 40051981).

• Hohe I/O-Isolationsspannung: 5000V; duale AC/DC-Nutzung
• Steuern von schwachen analogen Signalen; hohe Empfindlichkeit und niedriger Einschaltwiderstand
• Geringer Leckstrom im ausgeschalteten Zustand: max. 1μA; Anschlüsse zur Durchsteckmontage
• Ausgangslaststrom: nom. 550mA; Ausgangslastspannung: nom. 60V
• Eingangs-LED-Betriebsstrom: typ. 1.2mA (25°C); LED-Dropout-Spannung: typ. 1.25V (1.14V bei IF = 5mA, 25°C)
• Ausgangsverlustleistung: 500mW (25°C)
• Einschaltzeit: typ. 1ms (IF = 5mA, 25°C); Ausschaltzeit: typ. 0.05ms (IF = 5mA, 25°C)
• I/O-Kapazität: typ. 0.8pF (f = 1MHz, VB = 0V, 25°C)
• Anfänglicher I/O-Isolationswiderstand: min. 1000 MOhm (500V DC, 25°C)
• Betriebstemperaturbereich: -40°C bis +85°C