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NXH80B120MNQ0SNG
Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Modul
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXH80B120MNQ0SNG
Bestellnummer3929815
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 65,060 € |
| 5+ | 60,920 € |
| 10+ | 56,780 € |
| 50+ | 55,640 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXH80B120MNQ0SNG
Bestellnummer3929815
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationDualPack
KanaltypZweifach n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id23A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.08ohm
Bauform - TransistorModul
Anzahl der Pins22Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung69W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
DualPack
Dauer-Drainstrom Id
23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.08ohm
Anzahl der Pins
22Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kanaltyp
Zweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
Modul
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
69W
Produktpalette
EliteSiC Series
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.09
Produktnachverfolgung