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HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXH40B120MNQ0SNG
Bestellnummer3929810
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 81,660 € |
| 5+ | 78,200 € |
| 10+ | 74,730 € |
| 50+ | 73,240 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
81,66 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXH40B120MNQ0SNG
Bestellnummer3929810
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationDualPack
KanaltypZweifach n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id38A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.04ohm
Bauform - TransistorModul
Anzahl der Pins22Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.-
Verlustleistung118W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
DualPack
Dauer-Drainstrom Id
38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.04ohm
Anzahl der Pins
22Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
-
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kanaltyp
Zweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
Modul
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
118W
Produktpalette
EliteSiC Series
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.09
Produktnachverfolgung