Seite drucken
NTHL032N065M3S
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTHL032N065M3S
Bestellnummer4583072
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
196 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
EXPRESS-Lieferung am nächsten Arbeitstag - bis 13 Uhr*
Bestellung vor 17:00
KOSTENLOSE Standardlieferung
für Bestellungen ab 0,00 €
Genaue Lieferzeiten werden an der Kasse berechnet
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 9,120 € |
| 5+ | 7,950 € |
| 10+ | 6,780 € |
| 50+ | 6,400 € |
| 100+ | 6,020 € |
| 250+ | 5,640 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
9,12 € (ohne MwSt.)
Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTHL032N065M3S
Bestellnummer4583072
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id51A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.044ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung200W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
NTHL032N065M3S is a 650V M3S planar SiC MOSFET in a 3 pin TO-247 package. It is optimized for fast switching applications. Planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn off spikes on the gate. This family has optimum performance when driven with 18V gate drive but also works well with 15V gate drive. Typical applications include SMPS, solar inverters, UPS, energy storages, EV charging infrastructure.
- Drain to source voltage is 650V, maximum drain current is 51A
- Typical RDS(ON) = 32mohm at VGS = 18V
- Ultra low gate charge QG(tot) = 69nC
- High speed switching with low capacitance (Coss = 114pF)
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from -55 to +175°C
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
51A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.044ohm
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
200W
Produktpalette
EliteSiC Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung