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NTR3A30PZT1G
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Wird nicht mehr hergestellt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTR3A30PZT1G
Bestellnummer4319716
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.038ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.650mV
Verlustleistung480mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
480mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.038ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
650mV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000002
Produktnachverfolgung