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FQA46N15
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
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| 10+ | 2,270 € |
| 100+ | 2,230 € |
| 500+ | 1,830 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFQA46N15
Bestellnummer2322622
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds150V
Dauer-Drainstrom Id50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.033ohm
Bauform - TransistorTO-3PN
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung250W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (17-Jan-2022)
Alternativen für FQA46N15
1 Produkt(e) gefunden
Produktbeschreibung
The FQA46N15 is a 150V N-channel QFET® MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications.
- Low gate charge (typical 85nC)
- Low Crss (typical 100pF)
- 100% avalanche tested
- ±25V gate source voltage
- 40°C/W thermal resistance, junction to ambient
- 0.6°C/W thermal resistance, junction to case
Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
50A
Bauform - Transistor
TO-3PN
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
250W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (17-Jan-2022)
Drain-Source-Spannung Vds
150V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.033ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2022)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.007091
Produktnachverfolgung