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1N4935G
FAST RECOVERY DIODE, 1A, 200V, AXIAL
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 0,140 € |
| 10+ | 0,099 € |
| 100+ | 0,074 € |
| 500+ | 0,055 € |
| 1000+ | 0,051 € |
| 3000+ | 0,043 € |
| 10000+ | 0,040 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
Herstellerteilenummer1N4935G
Bestellnummer1126305
Technisches Datenblatt
Wiederkehrende Spitzensperrspannung200V
Durchschnittlicher Durchlassstrom1A
DiodenkonfigurationSingle
Durchlassspannung, max.1.2V
Sperrverzögerungszeit300ns
Durchlassstoßstrom30A
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - DiodeAxial Leaded
Anzahl der Pins2Pin(s)
Produktpalette-
Qualifikation-
Technische Spezifikationen
Wiederkehrende Spitzensperrspannung
200V
Diodenkonfiguration
Single
Sperrverzögerungszeit
300ns
Betriebstemperatur, max.
150°C
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Qualifikation
-
Durchschnittlicher Durchlassstrom
1A
Durchlassspannung, max.
1.2V
Durchlassstoßstrom
30A
Bauform - Diode
Axial Leaded
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Alternativen für 1N4935G
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000386
Produktnachverfolgung