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QSE113
Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Radial bedrahtet
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 0,858 € |
| 10+ | 0,598 € |
| 25+ | 0,545 € |
| 50+ | 0,493 € |
| 100+ | 0,440 € |
| 500+ | 0,377 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerQSE113
Bestellnummer1021147
Technisches Datenblatt
Wellenlänge, typ.880nm
Abstrahlwinkel25°
Stromverbrauch100mW
Anzahl der Pins2Pin(s)
Bauform - TransistorRadial bedrahtet
Produktpalette-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The QSE113 is a NPN silicon infrared phototransistor encapsulated in black plastic sidelooker package.
- Daylight filter
- High sensitivity
- Blue dot marking on the top side
- Power dissipation of 100mW
- Operating temperature range from -40°C to 100°C
- Peak sensitivity of 880nm
Technische Spezifikationen
Wellenlänge, typ.
880nm
Stromverbrauch
100mW
Bauform - Transistor
Radial bedrahtet
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Abstrahlwinkel
25°
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000363
Produktnachverfolgung