Seite drucken
NXH010P90MNF1PTG
Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 154 A, 900 V, 0.01003 ohm, Modul
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
28 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
EXPRESS-Lieferung am nächsten Arbeitstag - bis 13 Uhr*
Bestellung vor 17:00
KOSTENLOSE Standardlieferung
für Bestellungen ab 0,00 €
Genaue Lieferzeiten werden an der Kasse berechnet
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 147,360 € |
| 5+ | 138,920 € |
| 10+ | 130,470 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
147,36 € (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXH010P90MNF1PTG
Bestellnummer3973631
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationHalbbrücke
KanaltypZweifach n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id154A
Drain-Source-Spannung Vds900V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.01003ohm
Bauform - TransistorModul
Anzahl der Pins18Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung15V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.74V
Verlustleistung328W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Halbbrücke
Dauer-Drainstrom Id
154A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.01003ohm
Anzahl der Pins
18Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.74V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Kanaltyp
Zweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
900V
Bauform - Transistor
Modul
Rds(on)-Prüfspannung
15V
Verlustleistung
328W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.09
Produktnachverfolgung