Seite drucken
NXH006P120MNF2PTG
Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, n-Kanal, 304 A, 1.2 kV, 5480 µohm, Modul
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
52 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
EXPRESS-Lieferung am nächsten Arbeitstag - bis 13 Uhr*
Bestellung vor 17:00
KOSTENLOSE Standardlieferung
für Bestellungen ab 0,00 €
Genaue Lieferzeiten werden an der Kasse berechnet
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 160,790 € |
| 5+ | 157,570 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
160,79 € (ohne MwSt.)
Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXH006P120MNF2PTG
Bestellnummer3766231
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationHalbbrücke
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id304A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand5480µohm
Bauform - TransistorModul
Anzahl der Pins36Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.83V
Verlustleistung950W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Halbbrücke
Dauer-Drainstrom Id
304A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
5480µohm
Anzahl der Pins
36Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.83V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
Modul
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
950W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.09
Produktnachverfolgung