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HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTBG015N065SC1
Bestellnummer3766197RL
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
10+ | 19,590 € |
50+ | 19,570 € |
100+ | 19,540 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 10
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTBG015N065SC1
Bestellnummer3766197RL
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id145A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.012ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.012ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.8V
Verlustleistung500W
Verlustleistung Pd500W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteEliteSiC Series
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.012ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.8V
Verlustleistung Pd
500W
Produktpalette
EliteSiC Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.012ohm
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
500W
Betriebstemperatur, max.
175°C
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004
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