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NSVMUN5132T1G
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 3000+ | 0,0196 € |
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Minimum: 3000
Mehrere: 3000
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNSVMUN5132T1G
Bestellnummer3617352
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.-
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.50V
Dauer-Kollektorstrom100mA
Basis-Eingangswiderstand R14.7kohm
Basis-Emitter-Widerstand R24.7kohm
Bauform - TransistorSC-70
Anzahl der Pins3 Pins
TransistormontageOberflächenmontage
Verlustleistung310mW
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.15hFE
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
50V
Basis-Eingangswiderstand R1
4.7kohm
Bauform - Transistor
SC-70
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
-
Dauer-Kollektorstrom
100mA
Basis-Emitter-Widerstand R2
4.7kohm
Anzahl der Pins
3 Pins
Verlustleistung
310mW
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
15hFE
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.1
Produktnachverfolgung