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MMBFJ202
JFET-Transistor, JFET, -40 V, 4.5 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,418 € |
| 10+ | 0,259 € |
| 100+ | 0,128 € |
| 500+ | 0,120 € |
| 1000+ | 0,107 € |
| 5000+ | 0,0758 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBFJ202
Bestellnummer2453379
Technisches Datenblatt
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.-40V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.900µA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.4.5mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.-4V
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3 Pins
TransistortypJFET
Betriebstemperatur, max.150°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Produktbeschreibung
MMBFJ202 ist ein n-Kanal-JFET, der hauptsächlich für Low-Level-Audioanwendungen und allgemeine Anwendungen mit hochimpedanten Signalquellen ausgelegt ist.
- Drain-Gate-Spannung: 40V
- Gate/Source-Spannung: -40V
- Gate-Durchlassstrom: 50mA
Anwendungen
Industrie, Audio, Power-Management
Technische Spezifikationen
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.
-40V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.
4.5mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Transistortyp
JFET
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.
900µA
Gate-Source-Sperrspannung, max.
-4V
Anzahl der Pins
3 Pins
Betriebstemperatur, max.
150°C
Transistormontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000051
Produktnachverfolgung