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MJH11017G
Darlington-Transistor, PNP, 150 V, 150 W, 15 A, TO-218, 3 Pin(s)
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|---|---|
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| 10+ | 2,780 € |
| 100+ | 2,720 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMJH11017G
Bestellnummer2774793
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo150V
Verlustleistung Pd150W
DC-Kollektorstrom15A
Bauform - HF-TransistorTO-218
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE100hFE
TransistormontageDurchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Verlustleistung Pd
150W
Bauform - HF-Transistor
TO-218
DC-Stromverstärkung hFE
100hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
150V
DC-Kollektorstrom
15A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004082
Produktnachverfolgung