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100+ | 0,628 € |
500+ | 0,530 € |
1000+ | 0,480 € |
5000+ | 0,427 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMJD127G
Bestellnummer9557083
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo100V
Verlustleistung Pd1.75W
DC-Kollektorstrom8A
Bauform - HF-TransistorTO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE1000hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The MJD127G is a 8A PNP bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. It is the surface-mount replacement for 2N6040 to 2N6045 series, TIP120 to TIP122 series and TIP125 to TIP127 series.
- Lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves
- Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
- Complementary pairs simplifies designs
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Fahrzeugelektronik
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Verlustleistung Pd
1.75W
Bauform - HF-Transistor
TO-252 (DPAK)
DC-Stromverstärkung hFE
1000hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
100V
DC-Kollektorstrom
8A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Alternativen für MJD127G
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Vietnam
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Vietnam
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000665
Produktnachverfolgung