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MJD117T4G
Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMJD117T4G
Bestellnummer2845303
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo100V
Verlustleistung Pd20W
DC-Kollektorstrom2A
Bauform - HF-TransistorTO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins4Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE200hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Verlustleistung Pd
20W
Bauform - HF-Transistor
TO-252 (DPAK)
DC-Stromverstärkung hFE
200hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
100V
DC-Kollektorstrom
2A
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MJD117T4G
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000426