Seite drucken
HGTG5N120BND
IGBT, 21 A, 2.7 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Wird nicht mehr hergestellt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerHGTG5N120BND
Bestellnummer1505138
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom21A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung2.7V
Verlustleistung167W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
TransistormontageDurchsteckmontage
Produktpalette-
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
21A
Verlustleistung
167W
Bauform - Transistor
TO-247
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
2.7V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001