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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFJB102TM
Bestellnummer2453344RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo100V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.100V
Dauerkollektorstrom8A
Verlustleistung Pd80W
Verlustleistung80W
DC-Kollektorstrom8A
Bauform - HF-TransistorTO-263AB
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE200hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
DC-Stromverstärkung (hFE), min.200hFE
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The FJB102TM is a NPN high voltage power Darlington Transistor offers low collector-emitter saturation voltage.
- High DC current gain (1000 hFE @ 4V VCE, 3A minimum IC)
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
100V
Verlustleistung Pd
80W
DC-Kollektorstrom
8A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
200hFE
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
100V
Dauerkollektorstrom
8A
Verlustleistung
80W
Bauform - HF-Transistor
TO-263AB
DC-Stromverstärkung hFE
200hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001312
Produktnachverfolgung