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500+ | 0,261 € |
1000+ | 0,234 € |
5000+ | 0,180 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDC658AP
Bestellnummer1495228
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.044ohm
Bauform - TransistorSuperSOT
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.8V
Verlustleistung1.6W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
FDC658AP ist ein einfacher p-Kanal-MOSFET (Logikpegel), der das fortschrittliche PowerTrench®-Verfahren nutzt. Dieser Baustein wurde optimiert für Batterie/Akku-Power-Management-, Lastschalt- und DC/DC-Wandleranwendungen.
- Niedrige Gate-Ladung
- Leistungsstarke Trench-Technologie für äußerst niedrigen RDS(ON)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
4A
Bauform - Transistor
SuperSOT
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.6W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.044ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.8V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für FDC658AP
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00435
Produktnachverfolgung