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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDB2614
Bestellnummer1495274
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds200V
Dauer-Drainstrom Id62A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0229ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung260W
Anzahl der Pins2Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (23-Jan-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell FDB2614 handelt es sich um einen n-Kanal-MOSFET, der mithilfe des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens hergestellt wird. Dieser MOSFET ist darauf ausgelegt, den Durchgangswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine herausragende Schaltleistung zu erhalten. Er eignet sich für die Verwendung in Synchrongleichrichtungsanwendungen und Batterie-/Akkuschutzschaltungen.
- Leistungsstarke Trench-Technologie für äußerst niedrigen RDS(ON)
- Niedrige Gate-Ladung
- Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
62A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
260W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
200V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0229ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für FDB2614
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00143
Produktnachverfolgung