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HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFCMT180N65S3
Bestellnummer2895682
ProduktpaletteSUPERFET III
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 2,700 € |
10+ | 2,370 € |
100+ | 2,220 € |
500+ | 1,990 € |
1000+ | 1,980 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
2,70 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFCMT180N65S3
Bestellnummer2895682
ProduktpaletteSUPERFET III
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.152ohm
Bauform - TransistorPQFN
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung139W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteSUPERFET III
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
17A
Bauform - Transistor
PQFN
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
139W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.152ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
SUPERFET III
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung