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|---|---|
| 5+ | 0,0866 € |
| 10+ | 0,0485 € |
| 100+ | 0,0424 € |
| 500+ | 0,0335 € |
| 1000+ | 0,0311 € |
| 5000+ | 0,0191 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerDAP222T1G
Bestellnummer2727955
Technisches Datenblatt
DiodenkonfigurationZweifach, gemeinsame Anode
Periodische Spitzensperrspannung80V
Durchschnittlicher Durchlassstrom100mA
Durchlassspannung, max.1.2V
Sperrverzögerungszeit4ns
Durchlassstoßstrom2A
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - DiodeSOT-416
Anzahl der Pins3Pin(s)
DiodenmontageOberflächenmontage
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Diodenkonfiguration
Zweifach, gemeinsame Anode
Durchschnittlicher Durchlassstrom
100mA
Sperrverzögerungszeit
4ns
Betriebstemperatur, max.
150°C
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Periodische Spitzensperrspannung
80V
Durchlassspannung, max.
1.2V
Durchlassstoßstrom
2A
Bauform - Diode
SOT-416
Diodenmontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00003
Produktnachverfolgung