2N7000
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,476 € |
| 10+ | 0,323 € |
| 100+ | 0,164 € |
| 500+ | 0,160 € |
| 1000+ | 0,136 € |
| 5000+ | 0,126 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
2N7000 ist ein n-Kanal-FET (Anreicherungstyp), der mit der DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt wird. Dank dieses Prozesses kann der Durchgangswiderstand minimiert werden, während eine robuste, zuverlässige und schnelle Schaltleistung gewährleistet werden kann. Der FET kann in den meisten Anwendungen eingesetzt werden, die bis zu 400mA DC erfordern, und einen gepulsten Strom von bis zu 2A bereitstellen. Darüber hinaus eignet er sich für Niederspannungs- und Niederstromanwendungen wie kleine Servomotorsteuerungen, Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber und andere Schaltanwendungen.
- Spannungsgesteuerter Kleinsignalschalter
- Robust und zuverlässig
- Hohe Sättigungsstrombelastbarkeit
Technische Spezifikationen
n-Kanal
200mA
TO-92
10V
400mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
60V
5ohm
Durchsteckmontage
2.1V
3Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für 2N7000
6 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat