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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
Herstellerteilenummer2N6043G
Bestellnummer2535600
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo60V
Verlustleistung Pd75W
DC-Kollektorstrom8A
Bauform - HF-TransistorTO-220
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE1000hFE
TransistormontageDurchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The 2N6043G is a 8A NPN medium-power Darlington Complementary Silicon Transistor designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications.
- Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
- High DC current gain (hFE = 2500 @ IC = 4A DC)
- UL94V-0 Flammability rating
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Verlustleistung Pd
75W
Bauform - HF-Transistor
TO-220
DC-Stromverstärkung hFE
1000hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
60V
DC-Kollektorstrom
8A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Zugehörige Produkte
7 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002808
Produktnachverfolgung