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MRFE6VS25GNR1
HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, TO-270
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Produktspezifikationen
HerstellerNXP
HerstellerteilenummerMRFE6VS25GNR1
Bestellnummer2776259
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds133VDC
Dauer-Drainstrom Id-
Verlustleistung-
Betriebsfrequenz, min.1.8MHz
Betriebsfrequenz, max.2000MHz
Bauform - TransistorTO-270
Anzahl der Pins2Pin(s)
Betriebstemperatur, max.225°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageFlanschklemme
Produktpalette-
MSLMSL 3 - 168 Stunden
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
133VDC
Verlustleistung
-
Betriebsfrequenz, max.
2000MHz
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dauer-Drainstrom Id
-
Betriebsfrequenz, min.
1.8MHz
Bauform - Transistor
TO-270
Betriebstemperatur, max.
225°C
Transistormontage
Flanschklemme
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0003