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NX7002BKHH
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,095 € |
| 10+ | 0,0465 € |
| 100+ | 0,0351 € |
| 500+ | 0,0332 € |
| 1000+ | 0,0313 € |
| 5000+ | 0,0285 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerNX7002BKHH
Bestellnummer3020053
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand2ohm
Bauform - TransistorDFN0606
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.6V
Verlustleistung380mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produktbeschreibung
Anwendungen
Medizinelektronik
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
350mA
Bauform - Transistor
DFN0606
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
380mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
2ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.6V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004536
Produktnachverfolgung