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NSF060120L4A0Q
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
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|---|---|
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| 50+ | 10,090 € |
| 100+ | 9,890 € |
| 250+ | 9,680 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerNSF060120L4A0Q
Bestellnummer4416129RL
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id37A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.09ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins4Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.9V
Verlustleistung183W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
37A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.09ohm
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.9V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
183W
Produktpalette
-
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.006568
Produktnachverfolgung