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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBSS192,115
Bestellnummer2439130
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds240V
Dauer-Drainstrom Id200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand12ohm
Bauform - TransistorSOT-89
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.8V
Verlustleistung1W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produktbeschreibung
The BSS192,115 is a P-channel enhancement-mode vertical double-diffused FET in a medium power and flat lead surface-mount plastic package. The DMOSFET is suitable for relay driver, high-speed line driver, high -side load switch and switching circuit applications.
- Direct interface to Complementary (C-MOS) transistor and Transistor-Transistor Logic (TTL) devices
- Very fast switching
- No secondary breakdown
- -55 to 150°C Junction temperature range
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
200mA
Bauform - Transistor
SOT-89
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1W
Betriebstemperatur, max.
150°C
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds
240V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
12ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.8V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BSS192,115
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung