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500+ | 0,0565 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBSS138PW,115
Bestellnummer1907611
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id320mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.9ohm
Bauform - TransistorSOT-323
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.2V
Verlustleistung830mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
BSS138PW ist ein n-Kanal-Anreicherungs-FET in einem SMD-Gehäuse, der die Trench MOSFET-Technologie verwendet.
- Logikpegel-kompatibel
- Sehr hohe Schaltfrequenz
- ESD-Schutz bis zu 1.5kV
- AEC-Q101-qualifiziert
Anwendungen
Audio, Power-Management, Fahrzeugelektronik, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
320mA
Bauform - Transistor
SOT-323
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
830mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.9ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.2V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (1)
Alternativen für BSS138PW,115
4 Produkte gefunden
Zugehörige Produkte
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000136