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BC856B,215
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 5+ | 0,0991 € |
| 50+ | 0,0565 € |
| 100+ | 0,0357 € |
| 500+ | 0,0258 € |
| 1500+ | 0,0199 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBC856B,215
Bestellnummer1081243
ProduktpaletteBC856
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.65V
Dauer-Kollektorstrom100mA
Verlustleistung250mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.220hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteBC856
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell BC856B,215 handelt es sich um einen PNP-Transistor in SMD-Kunststoffgehäuse mit niedrigem Strom und niedriger Spannung. Er eignet sich für den Einsatz in universellen Schalt- und Verstärkungsanwendungen.
- Ergänzung für BC847
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauer-Kollektorstrom
100mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
220hFE
Produktpalette
BC856
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
65V
Verlustleistung
250mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativen für BC856B,215
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2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000033