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DFE252012P-2R2M=P2
Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, Geschirmt, 2.6 A, DFE252012P Series, 1008 [Metrisch 2520]
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerMURATA
HerstellerteilenummerDFE252012P-2R2M=P2
Bestellnummer2530074
ProduktpaletteDFE252012P Series
Technisches Datenblatt
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| 250+ | 0,143 € |
| 500+ | 0,136 € |
| 1500+ | 0,128 € |
| 3000+ | 0,109 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerMURATA
HerstellerteilenummerDFE252012P-2R2M=P2
Bestellnummer2530074
ProduktpaletteDFE252012P Series
Technisches Datenblatt
Induktivität2.2µH
RMS-Strom Irms-
Bauart der InduktivitätGeschirmt
Sättigungsstrom (Isat)2.6A
ProduktpaletteDFE252012P Series
Bauform - Leistungsinduktivität1008 [Metrisch 2520]
Bauform/Gehäuse der Induktivität1008 [Metrisch 2520]
DC-Widerstand, max.0.084ohm
Induktivitätstoleranz± 20%
Produktlänge2.5mm
Produktbreite2mm
Produkthöhe1.2mm
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Induktivität
2.2µH
Bauart der Induktivität
Geschirmt
Produktpalette
DFE252012P Series
Bauform/Gehäuse der Induktivität
1008 [Metrisch 2520]
Induktivitätstoleranz
± 20%
Produktbreite
2mm
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
RMS-Strom Irms
-
Sättigungsstrom (Isat)
2.6A
Bauform - Leistungsinduktivität
1008 [Metrisch 2520]
DC-Widerstand, max.
0.084ohm
Produktlänge
2.5mm
Produkthöhe
1.2mm
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85045000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000028
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