Seite drucken
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
532 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Lieferung am nächsten Werktag
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 3,730 € |
10+ | 3,370 € |
25+ | 3,210 € |
50+ | 3,100 € |
100+ | 2,990 € |
250+ | 2,970 € |
500+ | 2,950 € |
1000+ | 2,930 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
3,73 € (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT41K128M8DA-107:J
Bestellnummer4050840
Technisches Datenblatt
DRAM-AusführungDDR3L
Speicherdichte1Gbit
Speicherkonfiguration128M x 8 Bit
Taktfrequenz, max.933MHz
IC-Gehäuse / BauformTFBGA
Anzahl der Pins78Pin(s)
Versorgungsspannung, nom.1.35V
IC-MontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.0°C
Betriebstemperatur, max.95°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktbeschreibung
MT41K128M8DA-107:J is a DDR3L SDRAM. It uses a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The double data rate architecture is an 8n-prefetch architecture with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. A single read or write operation for the DDR3 SDRAM consists of a single 8n-bit-wide, four-clock cycle data transfer at the internal DRAM core and eight corresponding n-bit-wide, one-half-clock-cycle data transfers at the I/O pins.
- 128Meg x 8 configuration, data rate is 1866MT/s
- Packaging style is 78-ball 8mm x 10.5mm FBGA
- Timing (cycle time) is 1.07ns at CL = 13 (DDR3-1866)
- Operating temperature range is 0°C to +95°C, multipurpose register
- Supply voltage range is 1.283V to 1.45V, output driver calibration
- Differential bidirectional data strobe, 8n-bit prefetch architecture
- Differential clock inputs (CK, CK#), 8 internal banks
- Programmable CAS (READ) latency (CL), programmable CAS additive latency (AL)
- Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF), self refresh mode
- Self refresh temperature (SRT), automatic self refresh (ASR)
Technische Spezifikationen
DRAM-Ausführung
DDR3L
Speicherkonfiguration
128M x 8 Bit
IC-Gehäuse / Bauform
TFBGA
Versorgungsspannung, nom.
1.35V
Betriebstemperatur, min.
0°C
Produktpalette
-
Speicherdichte
1Gbit
Taktfrequenz, max.
933MHz
Anzahl der Pins
78Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
95°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung