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TN2524N8-G
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerMICROCHIP
HerstellerteilenummerTN2524N8-G
Bestellnummer4293647
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds240V
Dauer-Drainstrom Id360mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand6ohm
Bauform - TransistorSOT-89
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung1.6W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
360mA
Bauform - Transistor
SOT-89
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.6W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
240V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
6ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung